金融界2025年4月2日消息，国家知识产权局信息显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司申请一项名为“半导体器件的制备方法和半导体器件”的专利，公开号 CN 119743970 A，申请日期为 2024年12月。

专利摘要显示，本申请实施例涉及一种半导体器件的制备方法和半导体器件。包括：在半导体材料层上形成栅极材料层和牺牲材料层；牺牲材料层内形成通槽，内壁包括第一延伸部、第二延伸部和折弯部；形成掩膜材料层；刻蚀掩膜材料层覆盖通槽的内壁的部分被保留形成侧墙掩膜，包括第一侧墙部分、第二侧墙部分和侧墙折弯部分，侧墙折弯部分线宽大于第一侧墙部分和第二侧墙部分线宽；去除牺牲材料层；以侧墙掩膜为掩膜刻蚀栅极材料层，形成栅极层，包括位于第一侧墙部分、第二侧墙部分和侧墙折弯部分下方的第一栅极部、第二栅极部和栅极弯折部；去除侧墙掩膜；形成介质层；在介质层内形成暴露栅极弯折部的栅极开口；在栅极开口内形成栅极导电连接结构。

天眼查资料显示，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司，成立于2021年，位于绍兴市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币，实缴资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目3次，专利信息107条，此外企业还拥有行政许可13个。

本文源自金融界